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　　精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级—±0.5%；F级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。

　　（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、*工作，所承受的*大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。

　　（3）温度系数：在*温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

　　（4）*缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，*缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的*缘电阻一般较小。相对而言，*缘电阻越大越好，漏电也小。

　　（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

　　（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗 也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如*片电阻、引线和*片间的电阻、*片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所 有这些，使得电容器的使用频率受到限制。

不同品种的电容器，*高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。

测评贴片电容性能，从三个方面进行，*先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap.损耗DF，*缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损 耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能，在 125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产品的耐热冲击性能，将电 容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。

　　贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成*的损伤等因素造成。